(一)基本結構
半導體三極管(簡稱晶體管)是在一塊半導體上生成兩個pn結組成,有npn和pnp兩大類型,其結構和符號如下圖
由圖可見,它們有三個區,分別稱為發射區、基區和集電區。三個區各引出一個電極,分別稱為發射極e、基極b、集電極c。發射區和基區之間形成的pn結稱發射結,基區和集電區之間的pn結稱集電結。晶體管制造工藝的特點是:發射區摻雜濃度高,基區很薄且摻雜濃度很低,集電區摻雜濃度低且結面積比發射結大。這些特點是晶體管具有電流放大能力的內部條件。
(二)晶體管的放大原理
1、晶體管的工作狀態及其外部條件
(1)開關狀態 (2)放大狀態
晶體管處于放大狀態的條件:為了使晶體管具有放大作用,除了結構上的條件外,還必須有合適的外部條件。這就是要求外加電壓使發射結正偏,集電結反偏。根據偏置要求,外加直流電源與管子的連接方式如下圖所示。
npn型 pnp型
2.晶體管內部載流子的傳輸過程:晶體管在放大電路中有三種連接方式(或稱組態),即共發射極、共基極和共集電極接法,如下圖所示。
3、晶體管處于放大狀態的電路配置及相關計算
(1)固定偏置方案
(2)分壓式偏置方案
(3)偏置方案3
3、晶體管處于放大狀態時的小信號模型
1、獲取晶體管放大電路的“小信號模型”方法
2、固定偏執放大電路的電壓放大能力
3、分壓式偏執放大電路的電壓放大能力
(1)含旁路電容 (2)不含旁路電容