2.總平面布置

廠區總平面效果圖見圖1。

二、環境概況

1. 地理位置

廠址位于北京經濟技術開發區(BDA) 41、47號地塊，征地面積240 030 m2， 其中41號地塊面積136 754 m2、47號地塊面積103 276 m2，見圖2。

2. 環境質量

本項目對芯片加工類的特征空氣污染物、地下水特征污染物和土壤特征污染物 進行了監測。環境空氣監測了氟化物、氯化氫、氨氣、氯氣、硫酸霧、非甲烷總烴共6項;地下水環境監測，W、B共2項;土壤監測了砷(As)、硼(B)、氟(F) 和鎢(W)共4項。通過監測結果可以看出環境本底較好，沒有超標的污染項。

3. 廠址選擇合理性分析

由于中國與發達國家相比，在關鍵技術如軟件、集成電路和新型元器件等方面 相對落后，CPU芯片和存儲器的設計與制造能力薄弱，電訊、通訊市場將是首先受到入關沖擊的領域之一。因此，我國的信息產業政策中有很重要的一條，就是中國 鼓勵外資進入信息產業，希望信息產業的外商投資企業進一步提高技術檔次，擴大 投資規模。深亞微米工藝技術已是國際上的主流生產技術，本項目的實施可以推廣

在國內微電子技術的升級發展，提高電子產品開發、生產，并會促進我國集成電路 產業走向國際。因此，該項目的性質完全符合國家信息產業發展規劃和政策。本項 目為高科技、高附加值的集成電路行業，項目地址位于北京市經濟技術開發區內。在北京市“十五”時期工業發展規劃的產業布局調整目標中明確指出：“北京經濟技 術開發區：建設成北京現代制造業的窗口基地”，該項目的選址符合北京市“十五” 時期工業發展規劃的產業布局，與加速發展高新技術產業的發展方向高度是一致的。根據本項目的規模，可以確信，本項目是實現北京市“十五”時期工業發展規劃的 極其重要的項目之一。

I____ I_____ I

圖2評價范圍及周邊環境關系

三、工程分析

(一)工藝流程

1.工藝技術方案的確定

本項目的技術發展和集成電路制造的重點將以互補金屬氧化物半導體(CMOS) 工藝為主。芯片生產工序主要有外購硅片清洗、氧化(Si + 02—Si02)、光刻、蝕刻、 擴散、離子植入、化學氣相沉積、金屬化、后加工等九部分。

全廠生產總流程圖見圖3,圖中展示了所有生產廠房的功能(工藝生產區域、 支持區域)和相互之間的原則關系。在生產廠房中的工藝生產區域中，產品在通過產品質量檢測流至支持區域后道工序前，某些工藝步驟將被重復多次。

2.生產流程及排污節點分析

生產工藝流程和“三廢”排放節點示意圖，見圖4。